NVMYS3D3N06CLTWG

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LFPAK4 (5x6)
Базовый номер продукта	NVMYS3
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	26A (Ta), 133A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	40.7 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-1023, 4-LFPAK
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2880 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.9W (Ta), 100W (Tc)
Другие имена	NVMYS3D3N06CLTWGOS-ND NVMYS3D3N06CLTWGOS NVMYS3D3N06CLTWGOSDKR NVMYS3D3N06CLTWGOSTR NVMYS3D3N06CLTWGOSCT