PSMN1R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2280729-PSMN1R0-30YLDX
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN1R0-30YLDX
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN1R0 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.02mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 121.35 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8598 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 238W (Tc) | |
| Другие имена | 568-11555-1-ND 568-11555-2 568-11555-1 934068234115 PSMN1R0-30YLDX-ND 1727-1859-6 568-11555-6-ND 1727-1859-2 1727-1859-1 568-11555-6 568-11555-2-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TLV75733PDBVRTexas Instruments
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.- PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.
PN5321A3HN/C106;55NXP USA Inc.
TS3A24157RSERTexas Instruments
TPS25942ARVCRTexas Instruments
PSMNR58-30YLHXNexperia USA Inc.
LM3409QMY/NOPBTexas Instruments- PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.
- PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.
- PSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.
- PSMNR51-25YLHXNexperia USA Inc.
