SQJ403BEEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287946-SQJ403BEEP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ403BEEP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ403 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 164 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJ403BEEP-T1_GE3TR SQJ403BEEP-T1_GE3CT SQJ403BEEP-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ0905PNSATMA1Infineon Technologies
PNS40010ER,115NXP Semiconductors
SQJ423EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ463EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJB70EP-T1_GE3Vishay Siliconix
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor Corporation- SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.
SQJA37EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ433EP-T1_GE3Vishay Siliconix
