IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
НОВА часть #:
312-2288736-IPB80P04P4L04ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB80P04P4L04ATMA2
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 | |
| Базовый номер продукта | IPB80P04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS®-P2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 176 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | +5V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11570 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPB80P04P4L04ATMA2DKR 448-IPB80P04P4L04ATMA2CT SP002325756 448-IPB80P04P4L04ATMA2TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
E101J1AV2QE2C&K
SIRA50DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
FDB9503L-F085onsemi
SBRT15U50SP5-7Diodes Incorporated- IPB80P04P4L06ATMA2Infineon Technologies
- TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
BTS500551TMAATMA1Infineon Technologies
