SQD40031EL_GE3
MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
НОВА часть #:
312-2281364-SQD40031EL_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD40031EL_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD40031 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 280 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 15000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQD40031EL_GE3CT SQD40031EL_GE3DKR SQD40031EL_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
Z4DGP406L-HFComchip Technology
SXTHM212DA074-16.000MTSuntsu Electronics, Inc.
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon Technologies
SI4909DY-T1-GE3Vishay Siliconix
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
TS5204CX50 RFGTaiwan Semiconductor Corporation
BC817-16LT3Gonsemi
B3FS-1012Omron Electronics Inc-EMC Div
SI2374DS-T1-GE3Vishay Siliconix
AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.- SQD40061EL_GE3Vishay Siliconix
- IPD042P03L3GATMA1Infineon Technologies
IRLR8726TRPBFInfineon Technologies
