FQB34P10TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

НОВА часть #:

312-2273631-FQB34P10TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQB34P10TM

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FQB34P10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2910 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.75W (Ta), 155W (Tc)
Другие имена	FQB34P10TM-ND FQB34P10TMTR FQB34P10TMCT 2156-FQB34P10TM-OS FQB34P10TMDKR ONSONSFQB34P10TM