FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
НОВА часть #:
312-2264235-FQD11P06TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD11P06TM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD11P06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 550 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-FQD11P06TM-OS ONSONSFQD11P06TM FQD11P06TMTR FQD11P06TMDKR FQD11P06TMCT FQD11P06TM-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD1600N10ALZonsemi- IRFR5505TRPBFInfineon Technologies
ABM3B-8.000MHZ-10-1-U-TAbracon LLC
SS2PH10-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes Division- RFD12N06RLESM9Aonsemi
DMPH6050SK3-13Diodes Incorporated
AOD413AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
STD10P6F6STMicroelectronics- DMP10H400SK3-13Diodes Incorporated
LTST-C191TBKTLite-On Inc.
L201DS-QEPGBG2SAmerican Opto Plus LED
