NTB25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
НОВА часть #:
312-2263245-NTB25P06T4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTB25P06T4G
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D²PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK | |
| Базовый номер продукта | NTB25 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 27.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1680 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 120W (Tj) | |
| Другие имена | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOSTR NTB25P06T4GOSCT NTB25P06T4GOS-ND ONSONSNTB25P06T4G 2156-NTB25P06T4G-OS NTB25P06T4GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF9540NSTRLPBFInfineon Technologies
STL30P3LLH6STMicroelectronics- NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
FQD11P06TMonsemi
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
PSMN015-60BS,118Nexperia USA Inc.
IRF9Z34STRLPBFVishay Siliconix
ATP113-TL-Honsemi- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
RFD14N05LSM9AHarris Corporation- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc