IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288799-IRF100S201
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF100S201
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IRF100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 192A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 115A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 255 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9500 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 441W (Tc) | |
| Другие имена | IRF100S201CT IRF100S201-ND SP001550868 IFEINFIRF100S201 IRF100S201TR IRF100S201DKR 2156-IRF100S201 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFS4010TRLPBFInfineon Technologies
AUIRLS4030TRLInternational Rectifier
STH150N10F7-2STMicroelectronics- IRF1407STRLPBFInfineon Technologies
- IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
IRF100B201Infineon Technologies
NTB004N10Gonsemi
FSV20120Vonsemi- IRFS4310ZTRLPBFInfineon Technologies
CSD19535KTTTTexas Instruments
BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.- CSD19536KTTTexas Instruments
- PSMN5R6-100BS,118Nexperia USA Inc.
- IPB042N10N3GATMA1Infineon Technologies
S25FL512SDPMFIG10Cypress Semiconductor Corp
