IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
НОВА часть #:
312-2280378-IRF1407STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF1407STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF1407 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 78A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Другие имена | IRF1407STRLPBFTR SP001564712 IRF1407STRLPBFCT IRF1407STRLPBFDKR IRF1407STRLPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IRF3808STRLPBFInfineon Technologies
- IRF100S201Infineon Technologies
- IRF1010ZSTRLPBFInfineon Technologies
- IRL2505STRLPBFInfineon Technologies
- IRF100B201Infineon Technologies
- IRF3205STRLPBFInfineon Technologies
- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
- IRF1407PBFInfineon Technologies



