SQM60N20-35_GE3

MOSFET N-CH 200V 60A TO263
НОВА часть #:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM60N20-35_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:

N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика TO-263 (D²Pak)
Базовый номер продукта SQM60
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5850 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 375W (Tc)
Другие именаSQM60N20-35_GE3CT
SQM60N20-35_GE3TR
SQM60N20-35_GE3DKR
SQM60N20-35_GE3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!