SQM10250E_GE3

MOSFET N-CH 250V 65A TO263
НОВА часть #:
312-2274101-SQM10250E_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM10250E_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:

N-Channel 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика TO-263 (D²Pak)
Базовый номер продукта SQM10250
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 65A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4050 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 375W (Tc)
Другие именаSQM10250E_GE3TR
SQM10250E_GE3CT
SQM10250E_GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.