SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
НОВА часть #:
312-2274101-SQM10250E_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM10250E_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SQM10250 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 65A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4050 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SQM10250E_GE3TR SQM10250E_GE3CT SQM10250E_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
- SUM10250E-GE3Vishay Siliconix
- RJ1U330AAFRGTLRohm Semiconductor
- SQM90142E_GE3Vishay Siliconix
- IPB200N25N3GATMA1Infineon Technologies
- IXFA60N25X3IXYS



