SQJA20EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287853-SQJA20EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJA20EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 22.5A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJA20 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJA20EP-T1_GE3DKR SQJA20EP-T1_GE3TR SQJA20EP-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SN65HVD233QDRQ1Texas Instruments
IPB010N06NATMA1Infineon Technologies
SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
ECS-3225MVQ-250-BP-TRECS Inc.
SQJ454EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MC14066BDTR2Gonsemi
