IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283077-IPB320N20N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB320N20N3GATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB320 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 34A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SP000691172 IPB320N20N3G IPB320N20N3 GDKR IPB320N20N3 GCT IPB320N20N3GATMA1TR IPB320N20N3GATMA1DKR IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 G IPB320N20N3 GDKR-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3GATMA1CT IPB320N20N3 GTR-ND IPB320N20N3 GCT-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPP320N20N3GXKSA1Infineon Technologies
BUK7Y4R8-60EXNexperia USA Inc.
SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies- SQM90142E_GE3Vishay Siliconix
IPB600N25N3GATMA1Infineon Technologies