SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
НОВА часть #:
312-2263327-SIJ186DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIJ186DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 79.4A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIJ186 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23A (Ta), 79.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1710 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | SIJ186DP-T1-GE3DKR SIJ186DP-T1-GE3CT SIJ186DP-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ0702LSATMA1Infineon Technologies
R1525S033B-E2-KERICOH Electronic Devices Co., LTD.
NTMFS5C670NLT1Gonsemi
SIR180DP-T1-RE3Vishay Siliconix
V23079E1203B301TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
DMT6005LPS-13Diodes Incorporated
W25Q128JVPIQ TRWinbond Electronics
SIR186LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
PI4ULS5V202UEXDiodes Incorporated
PI4ULS3V204ZBEXDiodes Incorporated
SDM10U45-7Diodes Incorporated
R3111Q241A-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.
