FDMT80080DC
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
НОВА часть #:
312-2283486-FDMT80080DC
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMT80080DC
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 36A (Ta), 254A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-Dual Cool™88 | |
| Базовый номер продукта | FDMT80080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Dual Cool™, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Ta), 254A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 273 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 20720 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) | |
| Другие имена | FDMT80080DCDKR FDMT80080DCCT FDMT80080DCTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
INA180A3IDBVTTexas Instruments
NTMTSC1D6N10MCTXGonsemi
FDMT1D3N08Bonsemi
IRF7759L2TRPBFInfineon Technologies
FDMT80060DConsemi- NVMTSC1D3N08M7TXGonsemi
LTC2875HS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon Technologies
