IRF7759L2TRPBF
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
НОВА часть #:
312-2283539-IRF7759L2TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF7759L2TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric L8 | |
| Базовый номер продукта | IRF7759 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Ta), 375A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 96A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric L8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12222 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | |
| Другие имена | SP001563710 IRF7759L2TRPBFCT IRF7759L2TRPBFDKR IRF7759L2TRPBFTR IRF7759L2TRPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
B5818WS-TPMicro Commercial Co
MMBT5551-7-FDiodes Incorporated- MMDL914-TPMicro Commercial Co
DRV8301DCARTexas Instruments
AUIRF7759L2TRInfineon Technologies- IRF7749L1TRPBFInfineon Technologies
DRV8353RSRGZTTexas Instruments- AUIRF7749L2TRInfineon Technologies
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LM431BCM3X/NOPBTexas Instruments
