FDMT80060DC
MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
НОВА часть #:
312-2283502-FDMT80060DC
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMT80060DC
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 43A (Ta), 292A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-Dual Cool™88 | |
| Базовый номер продукта | FDMT80060 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Dual Cool™, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 43A (Ta), 292A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 43A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 20170 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) | |
| Другие имена | FDMT80060DCCT FDMT80060DCTR FDMT80060DCDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMT800120DConsemi
LM5050MK-1/NOPBTexas Instruments
C3D10065IWolfspeed, Inc.- FDMT80080DConsemi
BQ76200PWRTexas Instruments
BAT54S-7-FDiodes Incorporated
BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies- FDMT800100DConsemi
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
LTC4359IMS8#PBFAnalog Devices Inc.
