NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
НОВА часть #:
312-2298243-NTMTSC1D6N10MCTXG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount, Wettable Flank | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TDFNW (8.3x8.4) | |
| Базовый номер продукта | NTMTSC1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 650µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7630 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMT80080DConsemi
NTMTSC1D5N08MConsemi
NVMTSC1D3N08M7TXGonsemi
NTMTSC002N10MCTXGonsemi
