IAUT300N08S5N012ATMA2
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2283517-IAUT300N08S5N012ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IAUT300N08S5N012ATMA2
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IAUT300 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 300A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 275µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 231 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 16250 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | IAUT300N08S5N012ATMA2CT IAUT300N08S5N012CT-ND IAUT300N08S5N012ATMA2-ND IAUT300N08S5N012 IAUT300N08S5N012CT IAUT300N08S5N012DKR-ND IAUT300N08S5N012DKR IAUT300N08S5N012ATMA2TR IAUT300N08S5N012TR-ND IAUT300N08S5N012TR IAUT300N08S5N012ATMA2DKR SP001585160 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon Technologies
- IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
- TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
- WSBS8518L0500JKVishay Dale
- ECS-80-18-20BQ-DSECS Inc.
- IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon Technologies
- IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon Technologies
- STTH1R04AYSTMicroelectronics
- TLE42754GATMA1Infineon Technologies








