IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
НОВА часть #:
312-2283025-IPD600N25N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD600N25N3GATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD600 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | IPD600N25N3GATMA1TR IPD600N25N3GATMA1DKR SP001127834 IPD600N25N3GATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD10950E_GE3Vishay Siliconix
MJD44H11T4Gonsemi
IPT015N10N5ATMA1Infineon Technologies
SZ1SMA5918BT3Gonsemi
IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
FDP045N10A-F102onsemi
INA180A1IDBVRTexas Instruments
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
