IPB80P04P405ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

НОВА часть #:

312-2288735-IPB80P04P405ATMA2

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB80P04P405ATMA2

Стандартный пакет:

1,000

P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Базовый номер продукта	IPB80P04
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	10300 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Другие имена	448-IPB80P04P405ATMA2CT 448-IPB80P04P405ATMA2TR SP002325752 448-IPB80P04P405ATMA2DKR