NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
НОВА часть #:
312-2298050-NP100P04PLG-E1-AY
Производитель:
Номер детали производителя:
NP100P04PLG-E1-AY
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 | |
| Базовый номер продукта | NP100P04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 320 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 15100 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Другие имена | NP100P04PLG-E1-AYTR NP100P04PLG-E1-AYTR-ND NP100P04PLG-E1-AYCT NP100P04PLG-E1-AYDKR NP100P04PLGE1AY NP100P04PLG-E1-AYCT-ND 559-NP100P04PLG-E1-AYDKR -1161-NP100P04PLG-E1-AYCT NP100P04PLG-E1-AY-ND 559-NP100P04PLG-E1-AYCT 559-NP100P04PLG-E1-AYTR NP100P04PLG-E1-AYDKR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPB80P04P405ATMA2Infineon Technologies
- IPB120P04P4L03ATMA1Infineon Technologies
- NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- SUM110P04-05-E3Vishay Siliconix
- FDB9503L-F085onsemi
- SQM40031EL_GE3Vishay Siliconix
- SUM110P04-04L-E3Vishay Siliconix



