IRF9510STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
НОВА часть #:
312-2263482-IRF9510STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9510STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 4A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | IRF9510 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) | |
| Другие имена | IRF9510STRLPBF-ND IRF9510STRLPBFTR IRF9510STRLPBFDKR IRF9510STRLPBFCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PXP400-100QSJNexperia USA Inc.
IRF5210STRRPBFInfineon Technologies
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
IRF9520SPBFVishay Siliconix
FQB7P20TMonsemi- IRF5210STRLPBFInfineon Technologies
SQM40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
SI2337DS-T1-E3Vishay Siliconix
IXTA44P15T-TRLIXYS- FQB1P50TMonsemi
- IRF9510SPBFVishay Siliconix
MMBT2907ALT1Gonsemi- MMBT2222ALT1Gonsemi
NTB25P06T4Gonsemi
