FQB1P50TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

НОВА часть #:

312-2275105-FQB1P50TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQB1P50TM

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FQB1P50
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	500 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	350 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.13W (Ta), 63W (Tc)
Другие имена	FQB1P50TM-ND FQB1P50TMCT FQB1P50TMTR FQB1P50TMDKR