TK65E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 148A TO220
НОВА часть #:
312-2276394-TK65E10N1,S1X
Производитель:
Номер детали производителя:
TK65E10N1,S1X
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 | |
| Базовый номер продукта | TK65E10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 148A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 32.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 192W (Tc) | |
| Другие имена | TK65E10N1S1X TK65E10N1,S1X(S |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STP240N10F7STMicroelectronics
CSD19536KCSTexas Instruments
SUP70042E-GE3Vishay Siliconix- STP150N10F7STMicroelectronics
- CSD19534KCSTexas Instruments
IRFB4110PBFInfineon Technologies- IRF100B201Infineon Technologies
- CSD19535KCSTexas Instruments
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix
TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
