FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
НОВА часть #:
312-2273075-FDB0300N1007L
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB0300N1007L
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | FDB0300 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 26A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 113 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8295 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) | |
| Другие имена | FDB0300N1007LTR FDB0300N1007LDKR FDB0300N1007LCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB039N10N3GATMA1Infineon Technologies
FDB035N10Aonsemi
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
IRLS4030TRL7PPInfineon Technologies
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
