FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283528-FDB035N10A
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB035N10A
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | FDB035 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 116 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7295 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) | |
| Другие имена | FDB035N10ATR FDB035N10ACT FDB035N10A-ND FDB035N10ADKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDB0300N1007Lonsemi
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.- IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
FDB86135onsemi
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
DMG1013UW-7Diodes Incorporated
1N4148WS RRGTaiwan Semiconductor Corporation
SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
NTB004N10Gonsemi
1N5363BRLGonsemi
CSD19536KTTTexas Instruments
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
