IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
НОВА часть #:
312-2277835-IPB032N10N5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB032N10N5ATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7 | |
| Базовый номер продукта | IPB032 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 166A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 83A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 125µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6970 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 187W (Tc) | |
| Другие имена | IPB032N10N5ATMA1-ND IPB032N10N5ATMA1CT IPB032N10N5ATMA1TR IPB032N10N5ATMA1DKR SP001607808 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon Technologies- IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon Technologies
NLV14071BDR2Gonsemi
NLV14044BDR2Gonsemi- IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon Technologies
ADA4661-2ACPZ-RLAnalog Devices Inc.- NLV14082BDR2Gonsemi
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
AUIRFS4010International Rectifier
