IRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
НОВА часть #:
312-2264372-IRLS4030TRL7PP
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLS4030TRL7PP
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK (7-Lead) | |
| Базовый номер продукта | IRLS4030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 190A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 110A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 140 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11490 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 370W (Tc) | |
| Другие имена | IRLS4030TRL7PPDKR SP001569054 IRLS4030TRL7PPCT IRLS4030TRL7PPTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
B2100-13-FDiodes Incorporated
IPB039N10N3GATMA1Infineon Technologies
IRFP4368PBFInfineon Technologies- IRF135SA204Infineon Technologies
FDB0300N1007Lonsemi
SS18onsemi
IRF3805STRL-7PPInfineon Technologies- IRFS4010TRL7PPInfineon Technologies
CSD19536KTTTexas Instruments
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
