BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
НОВА часть #:
312-2361675-BSC014N06NSSCATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC014N06NSSCATMA1
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 261A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-WSON-8-2 | |
| Базовый номер продукта | BSC014 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 261A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.3V @ 120µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8125 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 188W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC014N06NSSCATMA1TR 448-BSC014N06NSSCATMA1DKR SP005348850 448-BSC014N06NSSCATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- ISC007N04NM6ATMA1Infineon Technologies
- BSC014N06NSATMA1Infineon Technologies
- TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies
- IPT007N06NATMA1Infineon Technologies
- BSC014N06NSTATMA1Infineon Technologies
- IPT111N20NFDATMA1Infineon Technologies
- BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies
- FDMS86550ET60onsemi
- BSC016N06NSSCATMA1Infineon Technologies








