TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
НОВА часть #:
312-2282848-TPW1R306PL,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPW1R306PL,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-DSOP Advance | |
| Базовый номер продукта | TPW1R306 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 260A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Другие имена | TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
INA168NA/3KTexas Instruments
FDMC007N08LCDConsemi
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
AUIR3241STRInfineon Technologies
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IRLML9301TRPBFInfineon Technologies
