IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2283613-IPT111N20NFDATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPT111N20NFDATMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IPT111 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 96A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 267µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7000 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | IPT111N20NFDATMA1TR IPT111N20NFDATMA1DKR IPT111N20NFDATMA1CT SP001340384 IPT111N20NFDATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDBL86210-F085onsemi
BSC220N20NSFDATMA1Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
NTBLS4D0N15MConsemi
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
EPC2215EPC
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies- IPTG111N20NM3FDATMA1Infineon Technologies
