SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2290537-SUD35N10-26P-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD35N10-26P-GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD35 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Outros nomes | SUD35N10-26P-GE3TR SUD35N10-26P-GE3DKR SUD35N10-26P-GE3CT SUD35N1026PGE3 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
AOD4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AUIRLR120NTRLInfineon Technologies
SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix
FDD3672onsemi
FDD86102onsemi- FDD86102LZonsemi
- IXFY36N20X3IXYS
- FDD3860onsemi
- SUD35N10-26P-BE3Vishay Siliconix
DMT10H015LK3-13Diodes Incorporated
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
