FDD3860

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2287986-FDD3860
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDD3860
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:

N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-252AA
Número do produto base FDD386
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Outros nomesFDD3860TR
2156-FDD3860-OS
FDD3860CT
FDD3860DKR
ONSONSFDD3860

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