FDD86102

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MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2282250-FDD86102

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDD86102

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	FDD861
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A (Ta), 36A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1035 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	3.1W (Ta), 62W (Tc)
Outros nomes	FDD86102TR FDD86102DKR FDD86102CT