IXFY36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Número da pe?a NOVA:
312-2263390-IXFY36N20X3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFY36N20X3
Embalagem padr?o:
70
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | IXFY36 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Ultra X3 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 176W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- SUD80460E-GE3Vishay Siliconix
- FDD18N20LZonsemi
- FDD86252onsemi
- BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
- SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
- PHB33NQ20T,118Nexperia USA Inc.
- IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
- IPD600N25N3GATMA1Infineon Technologies
- FDD86250-F085onsemi
- SUD90330E-GE3Vishay Siliconix
- FQD18N20V2TMonsemi
- TLV431CSN1T1Gonsemi
- SQD25N15-52_GE3Vishay Siliconix
- IXFY26N30X3IXYS







