DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2275060-DMT10H015LK3-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT10H015LK3-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252-3 | |
| Número do produto base | DMT10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.9W (Ta) | |
| Outros nomes | DMT10H015LK3-13DITR DMT10H015LK3-13DICT DMT10H015LK3-13DIDKR DMT10H015LK3-13-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FDD86381-F085onsemi
NTAT6H406NT4Gonsemi
IPD122N10N3GATMA1Infineon Technologies- IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.
CSD19537Q3Texas Instruments
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.
BUK6215-75C,118NXP Semiconductors- IXFY36N20X3IXYS
SQD25N15-52_GE3Vishay Siliconix
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
SQR40N10-25_GE3Vishay Siliconix
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix