SUD35N10-26P-BE3
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2296985-SUD35N10-26P-BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD35N10-26P-BE3
Embalagem padr?o:
2,000
N-Channel 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD35 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 35A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SUD35N10-26P-BE3TR 742-SUD35N10-26P-BE3DKR 742-SUD35N10-26P-BE3CT |
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