IXTT170N10P

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MOSFET N-CH 100V 170A TO268

Número de pieza NOVA:

312-2291204-IXTT170N10P

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IXTT170N10P

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-268AA
Número de producto base	IXTT170
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Polar
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	198 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6000 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	715W (Tc)