IXFX180N10
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
НОВА часть #:
312-2314455-IXFX180N10
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFX180N10
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PLUS247™-3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 390 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10900 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 560W (Tc) | |
| Другие имена | IXFX180N10-NDR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTP180N10TIXYS
MJE15033Gonsemi
IRF530NPBFInfineon Technologies
1SS355TE-17Rohm Semiconductor
FCA35N60onsemi
