SI7898DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2273454-SI7898DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7898DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7898 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta) | |
| Другие имена | SI7898DPT1GE3 SI7898DP-T1-GE3TR SI7898DP-T1-GE3DKR SI7898DP-T1-GE3CT |
In stock Нужно больше?
1,25050 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMC86244onsemi
FDS2734onsemi
SI7818DN-T1-E3Vishay Siliconix
SI7898DP-T1-E3Vishay Siliconix
FDMS86252onsemi
SIDR622DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LM5072MHX-80/NOPBTexas Instruments
SI2328DS-T1-E3Vishay Siliconix
