SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2273106-SI7818DN-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7818DN-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7818 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) | |
| Другие имена | SI7818DN-T1-E3TR SI7818DNT1E3 SI7818DN-T1-E3CT SI7818DN-T1-E3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMC86244onsemi
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
V8PA12-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
NCP51810AMNTWGonsemi
AON7254Alpha & Omega Semiconductor Inc.
STL7N10F7STMicroelectronics
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies
SI7898DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS86105onsemi