SI2328DS-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2281782-SI2328DS-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2328DS-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2328 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.15A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 730mW (Ta) | |
| Другие имена | SI2328DS-T1-E3TR SI2328DST1E3 SI2328DS-T1-E3CT SI2328DS-T1-E3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MBT2222ADW1T1Gonsemi
G6K-2P DC12Omron Electronics Inc-EMC Div
LT3956EUHE#PBFAnalog Devices Inc.
RSR010N10TLRohm Semiconductor
SI7898DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI2325DS-T1-E3Vishay Siliconix- BSS670S2LH6327XTSA1Infineon Technologies
SS1FH10-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
