FDMS86520L
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2288162-FDMS86520L
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86520L
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86520 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.5A (Ta), 22A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4615 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86520LFSTR FDMS86520L-ND FDMS86520LFSDKR FDMS86520LFSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMTH6009LPS-13Diodes Incorporated
CSD18534Q5ATTexas Instruments
FDMS86520onsemi- DMT6010LPS-13Diodes Incorporated
FDMS86500Lonsemi
SI4431CDY-T1-GE3Vishay Siliconix- CSD18534Q5ATexas Instruments