SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
НОВА часть #:
312-2281142-SI4431CDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4431CDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4431 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1006 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) | |
| Другие имена | SI4431CDYT1GE3 SI4431CDY-T1-GE3DKR SI4431CDY-T1-GE3CT SI4431CDY-T1-GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,47100 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC4007EGN#PBFAnalog Devices Inc.
LTC4100EG#PBFAnalog Devices Inc.- LTC4100EG#TRPBFAnalog Devices Inc.
FDC655BNonsemi
MMSZ5248BS-7-FDiodes Incorporated
MBRM140T3Gonsemi
BAT46WJ,115Nexperia USA Inc.
SI4431CDY-T1-E3Vishay Siliconix- SI4925DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- FDC645Nonsemi
