FDMS86500L
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2282077-FDMS86500L
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86500L
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86500 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Ta), 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12530 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86500L-ND FDMS86500LFSDKR FDMS86500LFSTR FDMS86500LFSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
FDMS030N06Bonsemi
MBR0540T1Gonsemi
BSS138DW-7-FDiodes Incorporated- FDMS86540onsemi
INA250A1PWRTexas Instruments- BSS84DW-7-FDiodes Incorporated
FDMS86350onsemi
LDL212PV33RSTMicroelectronics- FDMS86550ET60onsemi
SN74LVC1G11DCKRG4Texas Instruments
FDD4141Fairchild Semiconductor
