DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
НОВА часть #:
312-2263387-DMT6010LPS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT6010LPS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Базовый номер продукта | DMT6010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.5A (Ta), 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.2W (Ta), 113W (Tc) | |
| Другие имена | DMT6010LPS-13DICT DMT6010LPS-13DITR DMT6010LPS-13DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMT6016LSS-13Diodes Incorporated
RS1L145GNTBRohm Semiconductor
DMTH6010LPSQ-13Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies- BSC0704LSATMA1Infineon Technologies
FDMS86520Lonsemi- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
