BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2264925-BSS159NH6327XTSA2
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS159NH6327XTSA2
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT23 | |
| Базовый номер продукта | BSS159 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 230mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 26µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.4 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 39 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta) | |
| Другие имена | BSS159NH6327XTSA2DKR BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 BSS159NH6327XTSA2CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PV36W502C01B00Bourns Inc.
LND150K1-GMicrochip Technology
BSS138W-7-FDiodes Incorporated
BSS159NH6906XTSA1Infineon Technologies- BSS138NH6433XTMA1Infineon Technologies
BSP149H6906XTSA1Infineon Technologies- BSP149H6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS169H6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS139H6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS7728NH6327XTSA2Infineon Technologies
BSS138Wonsemi
2N7002NXBKRNexperia USA Inc.- BSS138onsemi
BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies
LND01K1-GMicrochip Technology
