BSS169H6327XTSA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT23
Базовый номер продукта	BSS169
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	170mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.8V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	2.8 nC @ 7 V
Полевой транзистор	Depletion Mode
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	68 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	360mW (Ta)
Другие имена	BSS169H6327XTSA1TR SP000702572 BSS169 H6327DKR-ND BSS169 H6327-ND BSS169 H6327CT-ND BSS169H6327XTSA1DKR BSS169H6327XTSA1CT BSS169 H6327DKR BSS169 H6327TR INFINFBSS169H6327XTSA1 BSS169 H6327 BSS169 H6327TR-ND BSS169 H6327CT 2156-BSS169H6327XTSA1